[19a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[19a-A302-9] 固相エピタキシーによるルチル型GeO₂単結晶薄膜成長

〇長島 陽¹、岡 大地²、廣瀬 靖² (1.東大院理、2.都立大院理)

キーワード：

酸化ゲルマニウム,固相エピタキシャル成長

ルチル型GeO₂は、バンドギャップ約4.7 eVでp/n両極ドーピングの可能性が予測されている新規材料である。本研究では、低温基板に蒸着した前駆体アモルファス様薄膜の熱処理による固相エピタキシーによるルチル型GeO₂単結晶薄膜成長を試みた。