講演情報
[19a-A309-2]高圧アニーリング法により成長させたg-C3N4ナノシートの光触媒反応性
〇(M1)市村 篤識1、川上 烈生1、柳谷 伸一郎1,2、新部 正人3、中野 由嵩4 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.兵庫県立大、4.中部大)
キーワード：
高圧アニーリング,光触媒,グラファイト状窒化炭素
昨今注目されているg-C3N4のバンドギャップエネルギーは2.75 eVであり，450 nmより短い波長の可視光照射により光触媒反応を活性化できる．しかしながら， g-C3N4ナノシートの作製には，通常， 4時間以上の長いアニール時間を要する．本研究は，高圧アニーリング（HPA）法により，尿素から1時間で光触媒活性が高いg-C3N4ナノシートを作製できた．特に，従来法で作製したg-C3N4ナノシートの特徴と比較することにより，その特徴を明らかにした．