セッション詳細
[19a-A309-2]高圧アニーリング法により成長させたg-C3N4ナノシートの光触媒反応性
〇(M1)市村 篤識1、川上 烈生1、柳谷 伸一郎1,2、新部 正人3、中野 由嵩4 (1.徳島大理工、2.徳島大pLED、3.兵庫県立大、4.中部大)
[19a-A309-3]PtAu合金ナノシートによるアセトンセンシングと原子シミュレーションを用いた応答機構解析
〇(M1)谷口 雄麻1、加藤 太朗1、濱中 悠輔1、田中 貴久2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大理工)
[19a-A309-4]低電圧下において低消費電力駆動が可能な低抵抗(NH4)xWO3 ナノワイヤアセトンセンサ
〇成田 雄紀1、田中 貴久2、内田 建1 (1.東大工、2.慶大理工)
[19a-A309-6]Ge/Si core-shell Nanowires Fabrication and Investigation of the Relationship between Diameter and Fano Effect
〇(M2)Chao Le1,2, Yonglie Sun1, Wipakorn Jevasuwan1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Tsukuba Univ.)
[19a-A309-7]Al-Catalyzed SiNW-based Si/Ge Core-Shell Heteroarchitectures and Hole Gas Accumulation Enhancement for Transistor Applications
〇Wipakorn Jevasuwan1, Naoki Fukata1 (1.NIMS)
[19a-A309-8]Functionalizing silicon nanowires for III-V-based multijunction solar cells
〇Bernice Espaldon1, Wipakorn Jevasuwan2, Naoki Fukata2, Yoshitaka Okada1 (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS)
[19a-A309-9]Formation of SiC layers on silicon nanowires
〇(M2)Pengyu ZHANG1,2, Yonglie Sun1, Jevasuwan Wipakorn1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)