[19a-B101-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[19a-B101-4] InN MOVPE成長におけるTMI分解・反応経路の理論的解析

〇(M2)長嶋 佑哉¹、渡邉 浩崇²、新田 州吾²、草場 彰³、寒川 義裕³、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.九大応力研)

キーワード：

Ⅲ-Ⅴ族半導体,MOVPE