セッション詳細

[19a-B101-1~7]15.4 III-V族窒化物結晶

2023年9月19日(火) 10:15 〜 12:00
B101 (市民会館)
河村 貴宏(三重大)、 小田 将人(和歌山大)

[19a-B101-1]III-V族希薄化合物半導体混晶における平衡偏析係数と動的偏析係数の関係

〇望月 和浩1、太田 博1、三島 友義1 (1.法政大)

[19a-B101-2]MOVPE成長c面窒化物半導体組成の基板オフ角依存性のBCF理論及びキンク偏析モデルに基づく解析

〇望月 和浩1、太田 博1、三島 友義1 (1.法政大)

[19a-B101-3]反応経路自動探索によるトリメチルガリウム分解過程の理論解析

〇杉山 佳奈美1、草場 彰2 (1.京大院工、2.九大応力研)

[19a-B101-4]InN MOVPE成長におけるTMI分解・反応経路の理論的解析

〇(M2)長嶋 佑哉1、渡邉 浩崇2、新田 州吾2、草場 彰3、寒川 義裕3、白石 賢二1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.九大応力研)

[19a-B101-5]III族窒化物半導体中の励起子間に働く熱的相互作用

葛野 彩未1、〇小田 将人1 (1.和歌山大学)

[19a-B101-6]GaN(0001)および(000-1)表面における酸素吸着の理論解析:面方位依存性の検討

〇秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)

[19a-B101-7]β-Nb2N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析

〇河村 貴宏1、秋山 亨1、小林 篤2 (1.三重大院工、2.東京理科大)