講演情報
[19a-B201-2]垂直ブリッジマン成長時における高指数面成長 Ga2O3の転位密度解析
〇柿本 浩一1、高橋 勲1、富田 健稔1、鎌田 圭1,2、Vladimir Kochurikhin2、中野 智3、姚 永昭4、石川 由加里4、吉川 彰1,2,5 (1.東北大 NICHe、2.(株)C＆A、3.九大応力研、4.ファインセラミックスセンター、5.東北大金研)
キーワード：
半導体,酸化ガリウム,転位
β-Ga2O3 結晶中の転位は、ウエハーの変形やデバイス特性の劣化の観点から、そ の密度と分布を制御する必要がある。本報告では、VB 法で成長中の高指数面である[-201], [-204] 方向成長結晶を含めた Ga2O3 結晶内の転位密度分布を、パイエルスポテンシャルなどの物性値を 仮定し、3 次元非定常解析法により求めた。