講演情報
[19a-B201-3]スカルメルテイング法による CZ-Ga2O3単結晶成長時の流動解析
〇柿本 浩一1、高橋 勲2、富田 健稔1、Vladimir Kochurikhin1、鎌田 圭1,2、中野 智3、吉川 彰1,2,4 (1.東北大 NICHe、2.(株)C＆A、3.九大応力研、4.東北大金研)
キーワード：
半導体,酸化ガリウム,スカルメルテイング
最近、高橋らによりスカルメルト法を用いた高純度 Ga2O3 単結晶成長の結果が報 告されている[1]。結晶中の応力や転位等の分布を最適化するためには、結晶育成中の結晶育成炉 内の流動解析が必須である。本報告では、スカルメルト法を用いて、Ga2O3 単結晶成長中の結晶 育成炉内の温度、流動解析を行った。特に、コイルの位置が固液界面形状に与える影響について 解析を行った。