講演情報
[19a-B201-8]超高濃度PドープCz-Si結晶成長における欠陥挙動に関する実験的研究
〇宝来 正隆1、鳴嶋 康人2、古賀 孝太郎2、鳥越 和尚1、堀江 浩1、小野 敏昭1、野中 直哉1、末岡 浩治3 (1.（株）SUMCO、2.（株）SUMCO TECHXIV、3.岡山県大情報工)
キーワード：
チョクラルスキーシリコン,燐,結晶欠陥
高濃度PドープP:Cz-Si結晶中の欠陥挙動を実験的に研究した。0.6mΩcmのP:Cz-Si結晶を育成し、as-grownおよび～600℃でアニールされたウェハ中の欠陥をTEM、HAXPES等で評価した。結晶ミドル部において、Pが偏析した数100nmの複合化転位が観察が観察された。P:Cz-Si結晶育成において600℃以下の滞在時間が長い部位において、過飽和の置換PがP-Vクラスターに変化し、同時に生成する格子間Siが微小転位ループに吸収されることで欠陥の成長と複合化が起こることが示唆された。