講演情報
[19p-A202-11]大面積単層WS2上へのMAPbI3ナノロッドのヘテロエピタキシャル成長
〇堤 皓政1、Elbohy Hytham1、西川 亘1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院自然)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド,ペロブスカイト,ヘテロエピタキシャル成長
TMDCはその原子レベルの薄い構造ゆえ，光を十分に吸収することが難しく，TMDCベースの光電子デバイスの実用化の妨げとなっている．TMDC上に高い光吸収係数を持つペロブスカイトを修飾することで，光電子デバイスの性能向上が期待されている．本研究では，メチルアンモニウムヨウ化鉛（MAPbI3）を二硫化タングステン（WS2）単結晶上にヘテロエピタキシャル成長し，その構造解析を行った．