講演情報
[19p-A202-8]反応性スパッタリングによるAl2O3上へのMoS2のエピタキシー成長
〇(D)金 明玉1,2、岡田 至崇1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)
キーワード：
反応性スパッタリング,MoS2,エピタキシー成長
反応性スパッタリングは、各々のプリカーサーのフラックスが制御可能で、産業化に適した成膜方法である。本研究では、反応性スパッタリングを用いてMoS2多層膜のAl2O3上でのエピタキシー成長について調査を行った。成膜時のS/Moフラックス比が高い条件で、オフ角ｃ面基板や回転対称性の低いM面基板を用いると、エピタキシー成長が向上することが観察できた。