[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:15

[19p-A302-1] トップゲート型In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの光劣化メカニズム分析

〇武田 悠二郎¹、高橋 崇典¹、宮永 良子¹、ベルムンド ファンパオロ¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端科学技術大学)

キーワード：

酸化物半導体,薄膜トランジスタ