[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15

[19p-A302-12] 非晶質、各結晶構造の酸化ガリウムの電気特性

〇(M2)須佐美 大夢¹、安岡 龍哉¹、刘 丽²、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大　シス工、2.総研)

キーワード：

酸化ガリウム,ミストCVD,電気特性

SiCやGaNなどのバンドギャップの広い材料がパワー半導体として利用されているが、我々の研究グループではさらにバンドギャップの大きいGa₂O₃に注目し、パワー半導体の開発を進めている。今回はミストCVD法を用いて非晶質、ε構造のGa₂O₃薄膜を作製し、電気特性を評価した。構造ごとに比誘電率や最大抵抗値は異なる特性を示した。酸化ガリウムと酸化アルミニウムの合金結晶である(Ga_xAl_1-x)₂O₃の電気的特性についても研究を進めており、その過程も報告予定である。