[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45

[19p-A302-14] Ar/N₂混合ガス中スパッタリングで堆積した SnO_x薄膜におけるバルク内N₂の評価

〇(M2)川口 拓真¹、小林 翔¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

酸化物半導体,窒素ドープ,窒素雰囲気下スパッタリング