講演情報
[19p-A302-6]水素添加多結晶酸化インジウム(poly-InOx:H)電気特性の成膜圧力および結晶化雰囲気依存性
〇曽根崎 悟1、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大 ナノ研)
キーワード：
多結晶酸化物半導体,酸化インジウム,薄膜トランジスタ
本研究室では大気中での低温固相結晶化(SPC)による水素添加多結晶酸化インジウム(poly-InOx:H)薄膜の金属-半導体転移(MST)を報告している。本研究ではpoly-InOx:H薄膜の電気特性の成膜圧力および結晶化雰囲気依存性について調べた。本発表では結晶性および電気特性、膜物性の詳細並びに薄膜トランジスタ(TFT)応用の結果について報告する。