[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45

[19p-A302-7] 水素添加酸化インジウム（InO_x:H）薄膜の高速熱処理結晶化

〇王 XIAOQIAN¹、曲 勇作³、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.高知工大 ナノ研、3.北大)

キーワード：

酸化物半導体,酸化インジウム,固相結晶化

本研究室では大気中での低温固相結晶化（SPC）により、水素添加酸化インジウム(InO_x:H)膜の金属-半導体転移（MST）を報告している。しかし、これまでの研究ではSPCの時間は1時間で実施していた。本発表では、昇温速度と保持時間がInO_x:H膜の結晶性とInO_x:H TFTの電気特性に与える影響について詳しく報告する。