[19p-A302-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[19p-A302-9] 室温製作された B-doped In₂O₃TFT への O₂ plasma 処理

〇山寺 真理¹、木菱 完太¹、野寺 歩夢¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

薄膜トランジスタ,O2プラズマ,室温