[19p-B201-1~7] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

13:30 〜 13:45

[19p-B201-1] シリコン・炭素系混合分子イオン注入エピタキシャルウェーハの水素パッシベーションによるSiO₂/Si 界面準位密度低減効果の解析

〇奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：

水素,パッシベーション,点欠陥