講演情報
[19p-B201-3]シリコンの水素ドナーの同定(1)
〇梅田 享英1、清井 明2 (1.筑波大数物、2.三菱電機)
キーワード：
シリコン,水素,浅いドナー準位
シリコンに水素原子を導入すると、その水素が浅いドナー（水素ドナーあるいは水素関連ドナー、HDs）になることがある。この現象は半世紀前に発見されたが、どうして水素がドナーになるのか、そのメカニズムは未だに分かっていない。水素の導入方法は問われないが、水素に加えて、何らかの真性欠陥と適度な活性化アニール（300～500℃）がHDsの発生に必要であることが分かっている。何らかの真性欠陥が水素から電子を引き抜く役目を担っているらしい。私達はHDsの起源を同定すべく、シリコンの点欠陥同定で威力を発揮している電子スピン共鳴(ESR)分光でHDsを調査した。その結果、HDsが、格子間シリコンクラスター（I4）と水素から成ることを見出した。