講演情報
[19p-B201-4]シリコンの水素ドナーの同定(2)
〇梅田 享英1、清井 明2 (1.筑波大数物、2.三菱電機)
キーワード：
シリコン,水素,浅いドナー準位
シリコン中で発生する「浅い水素ドナー（HDs）」が、格子間シリコンクラスター（I4）＋水素から成ることを私達は電子スピン共鳴(ESR)分光により見出した。このHDsの性質についてさらに深掘りをしたい。過去の研究では、熱安定性やイオン化エネルギーが少しずつ異なる2種類のHDs（HD1とHD2）が報告されている。ESR信号と比較したところ、MT1＝HD1、MT2・MT3＝HD2と対応することが分かった。次にサイクロトロン共鳴(CR)により、HDsと伝導電子の関係を調べたところ、HD2が2電子を同時放出するダブルドナーであることが分かった。HD2から発生するMT3信号は、HD2どうしが近接ペアを組んでいることに起因する"電子交換平均化信号"であることが分かった。