講演情報
[19p-B201-5]シリコン結晶基板の品質と点欠陥 第二世代 (10) 偏析の解析、平均から局所へ
〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪府大 放射線研究センター)
キーワード：
シリコン結晶,偏析係数,成長速度
2019年にシリコン結晶がキログラム原器を置換え、我々は第二世代のシリコン結晶の解析を本格化した。前回我々は、格子定数と炭素濃度の関係を、従来の平均値同士の代わりに局所値に着目し、ほぼ炭素を含まない部分の格子定数を、マッピングの報告から導いた。今回偏析係数と成長速度の関係も従来の平均値の代わりに報告値からtemporaryな値をめ、平衡からの増分が局所値も平均値も速度に比例することを明らかにした。