講演情報
[19p-P01-26]極微細構造を有する厚いNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製
〇加藤 一朗1、久保 俊晴1、三好 実人1、江川 孝志1 (1.名工大)
キーワード：
グラフェン,FET,金属凝集法
我々はこれまでに金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告した。また、転写フリーグラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した。本研究では、FETの電気特性改善のため、Niパターンを厚くしたサブミクロン間隔のNiパターン作製、および転写フリーグラフェンデバイスの作製を試みたので、結果を報告する。