セッション詳細

[19p-P01-1~75]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)

2023年9月19日(火) 13:30 〜 15:30
P01 (熊本城ホール)

[19p-P01-1]エアロゾル炭素源からカーボンナノチューブへの成長機構に関する考察

〇栗原 佑典1、長澤 栄児1、小松 裕明1、生野 孝1 (1.東理大先進工)

[19p-P01-2]その場DRIFTS測定によるCNT成長下でのCoおよびIr触媒粒子上でのエタノール分解過程に関する研究

〇小山 征哉1、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理、2.名城ナノ研)

[19p-P01-3]カイラリティ分布の狭いSWCNTの合成

〇松岡 就1、サラマ カマル2、才田 隆広1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大院、2.名城大ナノマテ研)

[19p-P01-4]Production of Carbon Nanotubes (CNTs) and Hydrogen (H2) From Various Plastic Waste Materials Via 2.45 GHz Multi-mode Microwave Irradiation

〇IPutu Abdi Karya1, Kohei Nakagawa1, Yota Kageyama2, Al Jalali Muhammad1, Takayuki Asano2, Fumihiro Nishimura3, Toyohiko Nishiumi2, I Nyoman Sudiana4, yoshinori Tatematsu1, Seitaro Mitsudo1 (1.FIR, Univ. of Fukui, 2.Dept. of Appl. Phys., Univ. of Fukui, 3.HISAC, Univ. of Fukui, 4.Dept. of Phys., Univ. Halu Oleo)

[19p-P01-5]触媒担持バッファ層が単層カーボンナノチューブ成長に与える影響

〇(M1)四本 真央1、松岡 就1、才田 隆広1,2、春山 雄一3、成塚 重弥1,2、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城ナノマテリアル研究センター、3.兵庫県立大高度研)

[19p-P01-6]透析による半導体型カーボンナノチューブ薄膜の生成

〇栗原 美咲1、田中 朋美1、桒原 有紀2、斎藤 毅2、桒原 彰太1 (1.東邦大理、2.産総研)

[19p-P01-7]アルコール触媒化学気相成長法を用いたCNT/RGOハイブリッド構造の作製

〇(M2)永田 裕暉1、原 正則1、吉村 雅満1 (1.豊田工大)

[19p-P01-9]ポリマーラッピング法を用いた半導体型単層カーボンナノチューブの分離における混合溶媒の効果

〇(M1)種平 立輝1、松下 駿1、藤井 俊治郎1、桒原 有紀2、斎藤 毅2 (1.兵庫県立大工、2.産総研ナノ材料)

[19p-P01-11]カーボンナノチューブ配向膜を用いた変調黒体放射光源の開発

〇(D)俣野 眞一朗1、小松 夏実2、Shengjie Yu2、Jacques Doumani2、志村 惟1、河野 淳一郎2、牧 英之1,3 (1.慶大、2.ライス大、3.慶大スピントロニクス研究センター)

[19p-P01-15]酸化スズ保護銀ナノワイヤーと単層カーボンナノチューブ積層膜の作製と耐熱性

〇(M1)松谷 洸之介1、石崎 学1、栗原 正人1 (1.山形大院理工)

[19p-P01-16]ペルチェ糸を構成する半導体CNT複合糸のn型化による性能向上検討

〇山辺 柾斗1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル)

[19p-P01-17]カーボンナノチューブ複合紙の熱電発電性能向上のための最適条件検討

〇島本 優樹1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル)

[19p-P01-18]カーボンナノチューブ複合紙を用いた蒸散型熱電発電紙の使用材料の分量変更による性能向上検討

〇亀川 雄大1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル)

[19p-P01-20]ELF法で分離した半導体型カーボンナノチューブの直径と抵抗温度係数の関係

〇宮本 俊江1,2、田中 朋1,2、宮崎 孝1,2、金折 恵2、殿内 規之1,2、渋谷 明信1,2、斎藤 毅2、桒原 有紀2、橋本 剛3、弓削 亮太1,2 (1.NEC、2.産総研、3.名城ナノカーボン)

[19p-P01-21]CNTのNO2ガスセンサ応用に向けたカイラリティ分離と選定

〇伊東 博克1、村山 真理子1,2、趙 新為1 (1.東理大理、2.東洋大工技研)

[19p-P01-22]CNT‐SnO2ナノシート複合膜のNH3雰囲気下における電気輸送特性

〇鶴田 彰宏1、崔 弼圭1、増田 佳丈1 (1.産総研)

[19p-P01-23]エタノールを用いたCVD法によるAg箔上へのグラフェン成長

〇(B)岩谷 光1、田中 龍介1、増田 有汰1、前田 文彦1 (1.福工大工)

[19p-P01-24]パターンNi触媒を用いた固相析出法による多層グラフェン形成

〇(M2)小笹 滉太1、上野 和良1,2 (1.芝浦工大(SIT)、2.グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

[19p-P01-25]原料ガスの分割供給による多層グラフェン CVD の結晶性と均一性の改善

〇増川 紘太1、上野 和良1,2 (1.芝浦工大(SIT)、2.グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

[19p-P01-27]CVD 法による 架橋 2 層 h BN 上への グ ラフェンナノ構造 成長

〇(M1C)利根川 舜1、河瀬 裕太1、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工)

[19p-P01-28]大電力パルススパッタリング(HPPS)を用いたグラフェン堆積のプラズマ供給電圧依存性

〇大石 侑叶1、桒田 篤哉1、篠原 正典1、前田 文彦2、田中 諭志3、松本 貴士3 (1.福岡大工、2.福岡工業大、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)

[19p-P01-29]グラフェンを直接成長させたサファイア基板上でのGaNリモートエピタキシーのリアルタイムX線回折

〇(M1)小田 昂到1、川合 良知1、佐々木 拓生2、横澤 翔太1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工、2.量研)

[19p-P01-31]グラフェンナノウォール成長における基板温度とプラズマ電子密度との相関

〇長谷場 峻吾1、内田 秀雄1、小川 大輔1 (1.中部大工)

[19p-P01-32]光励起効果を用いたグラフェン膜の薄膜化

〇鍋嶋 康起1、山名 貴広1、金﨑 順一1、木曽田 賢治2、伊東 千尋2 (1.大阪公立大院、2.和歌山大院)

[19p-P01-33]検量線を利用した六方晶窒化ホウ素フレーク上に成長したグラフェン層数の決定法

〇(B)渡邊 颯人1、高塚 亮輔1、宮下 裕乃介1、千木良 悠貴1、鵜飼 智文2、黒須 俊治2、渡邊 賢治3、谷口 尚3、西原 一樹4、有江 隆之4、花尻 達郎1,2、前川 透1,2、根岸 良太1,2 (1.東洋大、2.東洋大 バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター、3.物質材料研究機構、4.大阪公立大学)

[19p-P01-34]Naをインターカレートした多層グラフェンの作製

〇綾部 雄琉1、村山 真理子1,2,3、加藤 幹大1、趙 新為1 (1.東理大理、2.東洋大工技研、3.東洋大理工)

[19p-P01-35]電気化学インターカレーションによる触媒基板上CVDグラフェンのラマン散乱光の高強度化

〇大沼 佑貴1、橋本 恵里1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)

[19p-P01-36]FeCl3インターカレーションを用いた低抵抗3層積層グラフェンの作製

〇國府 慶1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青山学院大学)

[19p-P01-37]Na触媒法によるグラファイト層間化合物の簡便・高速合成

〇伊豫 彰1、荻野 拓1、石田 茂之1、永崎 洋1 (1.産総研)

[19p-P01-38]鉄フタロシアニン/酸化グラフェン複合材料の大気圧プラズマ還元

〇早川 風花1、才田 隆広1、太田 貴之1 (1.名城大理工)

[19p-P01-39]交互滴下法によるグラフェン/ナノダイヤモンド積層膜の形成と光吸収特性評価

〇池田 匠吾1、戸田 和輝1、井ノ上 泰輝1、仁科 勇太2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.岡山大)

[19p-P01-40]光電子分光法によるグラフェン薄膜の光励起効果に関する研究

〇廣末 龍一1、金﨑 順一1、山本 勇2、東 純平2、高橋 和敏2 (1.大阪公立大大学院、2.佐賀大シンクロトロン光応用センター)

[19p-P01-41]電子線吸収電流法によるK添加多層グラフェンの評価

〇沖川 侑揮1、増澤 智昭2、中島 秀朗1、岡崎 俊也1、山田 貴壽1 (1.産総研、2.静大)

[19p-P01-42]高耐熱透明ポリイミドフィルム上にCVDグラフェンを転写したフレキシブル透明導電膜の特性評価

〇品田 大和1、中村 誠2、渡辺 剛志1、堤 正幸2、黄 晋二1 (1.青学大理工、2.東洋紡)

[19p-P01-43]太陽電池応用に向けたグラフェン/PEDOT:PSS 透明導電膜

〇(M1)中庭 礼1、坂野 好亮1、來福 至1、渡辺 剛志1、石河 泰明1、黄 晋二1 (1.青学大理工)

[19p-P01-44]3層グラフェンを用いた透明ヒーターの作製および評価

〇(M2)深作 純也1、篠崎 元1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)

[19p-P01-45]多孔質セルロース混合エステルを支持層とするCVDグラフェンの転写と転写膜の電気化学発光分析への応用

〇(M2)宮地 衛1、飯塚 涼1、増田 竜也1、渡辺 剛志1、黄 晋二1 (1.青学大理工)

[19p-P01-46]グラフェンセンサによる重金属検出に向けたマルチチャネル計測器の開発

〇生田 昂1、吉井 智哉1、木川田 和希1、西胤 ふう香1、前橋 兼三1 (1.東京農工大)

[19p-P01-47]多層グラフェンを用いた赤外発光素子の特性評価

〇(M2)湯本 朋唯1、志村 惟1、俣野 眞一郎1、中川 鉄馬1、牧 英之1,2 (1.慶大、2.慶大スピントロニクス研究センター)

[19p-P01-48]MOCVDによる単層MoS2のウェハースケールファンデルワールスエピタキシー

〇小野 佑樹1、佐久間 芳樹2、松本 貴士1 (1.TTS、2.物材研)

[19p-P01-49]CVD法を用いた単層MoS2合成におけるNa化合物の効果

〇後藤 有生1、荻野 明久1 (1.静大院工)

[19p-P01-50]機能性テープを用いたCVD-hBNとCVD-MoS2のヘテロ構造の作製と特性評価

〇黒木 麻衣1、深町 悟2、中谷 真季2、Zongpeng Ma1、本田 哲士3、保井 淳3、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大GIC、3.日東電工)

[19p-P01-51]NaClをアシスト剤として利用したMoO3薄膜のテルル化によるMoTe2成長

〇村中 柊都1、桐原 芳治1、保井 晃2、野平 博司1、星 裕介1 (1.東京都市大学、2.高輝度科学研究センター)

[19p-P01-52]MBEを用いた硫黄ドープBi2Se3上のBi2Se3ホモエキタピシャル成長

〇乾 広斗2、竹蓋 颯馬2、横倉 聖也1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大工、2.北大総合化学院)

[19p-P01-54]金剥離法で作製した単層 MoTe2の大気暴露による結晶性劣化

〇山村 陸斗1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、星 裕介1 (1.東京都市大学、2.NIMS)

[19p-P01-55]エッチングフリー金剥離法による二次元半導体作製手法の確立

〇村瀬 大騎1、篠北 啓介1、若藤 祐斉2、小野寺 桃子2、町田 友樹2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、松田 一成1 (1.京都大学エネ研、2.東京大学生産研、3.物質材料研究機構)

[19p-P01-56]異方性ウェットエッチングを利用したMoS2とWSe2の結晶方位の特定

〇堀川 尚豊1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、星 裕介1 (1.東京都市大学、2.NIMS)

[19p-P01-57]小直径遷移金属ダイカルコゲナイドナノチューブの合成と光学特性

〇蓬田 陽平1、Md. A. Rahman1、伊原 茜1、西留 西留比呂幸1、大元 幹人1、上治 寛1、Y. Gao2、岡田 晋2、宮田 耕充1、柳 和宏1 (1.都立大理、2.筑波大)

[19p-P01-58]ポリオキソメタレート接合による MoS2 の発光強度向上

〇小林 尭史1、土肥 徹次1、荻原 直希2、内田 さやか2、桐谷 乃輔2 (1.中央大院理工、2.東大院総合)

[19p-P01-59]hBN封止単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子準位構造の物質依存性

〇高橋 伸弥1、草場 哲1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、柳 和宏3、齋藤 理一郎4、田中 耕一郎1,5 (1.京大院理、2.物材機構、3.都立大院理、4.東北大院理、5.京大iCeMS)

[19p-P01-60]SnS2の高温高圧処理のin-situ X線回折による評価

〇(M1)相川 皆子1、田所 泰志郎1、横倉 聖也2、牧 紘太郎1、三浦 章2、河口 沙織3、門林 宏和3、岡 健太3、島田 敏宏2 (1.北大院総化、2.北大院工、3.高輝度光科学研究センター)

[19p-P01-61]GaAs(111)B上に成長させたMoTe2単層膜の構造と電子状態

〇奈良 純1、大竹 晃浩1 (1.物質・材料研究機構)

[19p-P01-62]高温高圧水素処理が及ぼすホウ化水素シートへの影響

〇(M1)安田 幸広1、後藤 和歩1、中平 夕貴2、内海 伶那2、齋藤 寛之2、中野 智志3、伊藤 伸一1、引地 美亜1、折茂 慎一4、近藤 剛弘1 (1.筑波大、2.量研、3.NIMS、4.東北大)

[19p-P01-63]Investigation on the Catalytic Performance of Hydrogen Boride for the Conversion of Ethanol and Ethanol Solution

〇Zihao Kang1, Shin-ichi Ito1, Miwa Hikichi1, Takahiro Kondo1 (1.Tsukuba Univ.)

[19p-P01-64]ホウ化水素シートへのアンモニア吸着特性の評価

〇(M1)福田 弘清1、伊藤 伸一2、引地 美亜2、松田 巌3、近藤 剛弘2,4 (1.筑波大院、2.筑波大・TREMS、3.東大・ISSP、4.東北大・AIMR)

[19p-P01-65]Contact Resistance Measurements of Monolayer MoS2

〇(PC)Puneet Jain1, Shotaro Yotsuya1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. Tokyo)

[19p-P01-67]p型硫化モリブデンTFTの硫化アニール処理による特性改善

〇(M1)李 柯澄1、清水 耕作1 (1.日大生産工)

[19p-P01-68]フッ酸蒸気中でのMoS2ナノシート援用シリコンエッチング

〇山本 快知1、宇都宮 徹1、一井 崇1、杉村 博之1 (1.京大院工)

[19p-P01-69]多層hBNの大面積合成とグラフェン積層デバイスアレーへの応用

〇深町 悟1、Fernández Pablo Solís1、河原 憲治1、田中 大地2、大竹 徹2、Lin Yung-Chang3、末永 和知4、吾郷 浩樹1 (1.九大GIC、2.九大院総理工、3.産総研、4.阪大産研)

[19p-P01-70]h-BN層の挿入によるSiO2/h-BN/MoS2 n-FETのId-Vg ヒステリシスの制御

〇柯 夢南1、馮 家泉1、鶴岡 大樹1、謝 天順1、青木 伸之1 (1.千葉大工)

[19p-P01-71]硫化水素アニールによるMoS2トランジスタの駆動電流向上

〇(B)堀 幸妃1,2、岡田 直也1、張 文馨1、入沢 寿史1、田母神 唯3、夏井 隆佑3、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、小椋 厚志2 (1.産総研、2.明治大、3.都立大)

[19p-P01-72]ALDに向けた有機/無機アクセプター成膜によるWSe2-FETへの電荷移動ドーピングの評価

〇堀場 大輔1、坂梨 昂平1、柯 梦南1、青木 伸之1 (1.千葉大)

[19p-P01-73]Fabrication of CTFET inverter based on MoTe2

〇Tianshun Xie1, Mengnan Ke1, Keiji Ueno2, Nobuyuki Aoki1 (1.Chiba Univ, 2.Saitama Univ)

[19p-P01-74]二次元WSe2/WOX電荷トラップメモリにおける光シナプス可塑性

〇(B)金谷 瞳1、櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)

[19p-P01-75]面内分極を持つMoS2/SnSヘテロ界面による自発的光起電力

〇平林 弘暉1、篠北 啓介1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、松田 一成1 (1.京大 エネルギー理工学研究所、2.物質・材料研究機構)