講演情報
[19p-P01-30]SiC上エピタキシャルグラフェン成長機構の第一原理計算による研究 ―SCステップと結晶核形成の関係―
〇(M2)福田 槙哉1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
グラフェン,SiC熱分解法,第一原理計算
本研究では大面積高品質グラフェン結晶の形成法で、Siが表面から蒸発し表面に残ったCがグラフェンを形成する、SiC熱分解法に注目した。今回は井上らの先行研究の、グラフェンのような6員環を作るとなるとステップが必要になるという主張の検討を行った。計算にはSi面上のSCステップにC₂～C₁₀まで吸着させて安定構造を計算した。C₈、C₁₀でステップ上端から伸びた鎖状構造が現れ、形成エネルギーからステップ成長が確認できた。