講演情報
[19p-P01-52]MBEを用いた硫黄ドープBi2Se3上のBi2Se3ホモエキタピシャル成長
〇乾 広斗2、竹蓋 颯馬2、横倉 聖也1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大工、2.北大総合化学院)
キーワード：
トポロジカル絶縁体,エピタキシャル,MBE
Bi2Se3はトポロジカル絶縁体の一つであり300 meVのバンドギャップを持つ。最近アモルファスBi2Se3もトポロジカルな性質を示すという報告もあり、結晶性と物性の関係に興味が持たれる。実際にはBi2Se3バルクのフェルミ準位は欠陥等のため伝導帯に位置しており金属的な性質を示すことから、フェルミ準位を制御するために硫黄をドープしたBi2Se3上にMBE（molecular-beam-epitaxy）法によりBi2Se3を蒸着し、ホモエピタキシャル成長する条件を調べた。