講演情報
[19p-P01-59]hBN封止単層遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子準位構造の物質依存性
〇高橋 伸弥1、草場 哲1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、柳 和宏3、齋藤 理一郎4、田中 耕一郎1,5 (1.京大院理、2.物材機構、3.都立大院理、4.東北大院理、5.京大iCeMS)
キーワード：
単層半導体,励起子
単層遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDs）は次世代の光電デバイスへの応用が期待されている。しかし光学応答において重要な電子正孔対である、励起子について準位構造の適切なモデル描像は得られていない。本研究では高品質なhBN封止単層TMDs試料に対して和周波分光測定を行い、s及びp系列励起子の観測に成功した。講演では数値計算結果を援用しながら、この実験結果から得られた励起子準位構造の物質毎の傾向に関して議論を行う。