[19p-P01-1~75] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[19p-P01-67] p型硫化モリブデンTFTの硫化アニール処理による特性改善

〇(M1)李 柯澄¹、清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：

層状物質,硫化モリブデン,薄膜トランジスタ

スパッタリングを用いて成膜した硫化モリブデンは硫黄の抜けが発生し、デバイス性能に低下させることよく知られている。その影響を防ぐため、原子状酸素処理を施しデバイスの性能を向上させることに成功した。一方では移動度を向上させることができたが、OFF電流が上がる結果となった。
そこで、今回は、OFF電流を下げることを目的としてMoS₂膜を硫化処理することで、高性能化を図った。