[19p-P01-1~75] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[19p-P01-70] h-BN層の挿入によるSiO₂/h-BN/MoS₂ n-FETのI_d-V_g ヒステリシスの制御

〇柯 夢南¹、馮 家泉¹、鶴岡 大樹¹、謝 天順¹、青木 伸之¹ (1.千葉大工)

キーワード：

二次元物質,ゲートスタック,電界効果トランジスタ