講演情報
[19p-P01-74]二次元WSe2/WOX電荷トラップメモリにおける光シナプス可塑性
〇(B)金谷 瞳1、櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 (1.関西大システム理工、2.物材機構、3.埼玉大院理工)
キーワード：
WSe2,光シナプスデバイス,電荷トラップメモリ
二次元WSe2/WOx電荷トラップメモリに白色LED光をパルス照射させたところ、パルス数やパルス幅に応じてコンダクタンスが可塑的に変化する様子が観測された。この結果は、二次元WSe2/WOx電荷トラップメモリの光シナプスデバイスへの応用を期待させるものである。