講演情報
[20a-A301-5]テーパー形状のTSVホールにおける水素アニール効果の研究
〇田中 宏幸1、徳永 博司2、野沢 善幸3、速水 利泰3、佐藤 和重4,5、原 史朗1,5 (1.産総研、2.MTC、3.SPPテクノロジーズ、4.坂口電熱、5.ミニマル推進機構)
キーワード：
ボッシュ,深掘り,アニール
IOTの普及に伴いアドバンスパッケージ技術が注目されている。実装技術向上のためTSV深掘りエッチングは、僅かに順テーパー形状となることが望ましい。これにより、層間絶縁膜やシードスパッタ膜はvia底まで成膜し易くなったが、エッチング工程で発生するスキャロプや縦縞までは解消できなかった。これに対し、DRIE深掘りエッチング後の水素アニール処理が有効だった。viaホール内部の凹凸は、短時間でほぼ平坦化されることがわかった。