講演情報

10:30 〜 10:45

[20a-A301-6]300～600℃の低温処理用ミニマルレーザ加熱装置の開発(Ⅱ)

〇佐藤和重^1,2、千葉貴史^1,2、寺田昌男^1,2、濱田健吾^1,2、原史朗^1,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.坂口電熱、3.産総研)

ミニマルファブ,レーザ加熱

低温(300〜600℃)処理用レーザ加熱装置の開発を進めているが、シンタリング工程への適用を想定し、実際にSiウェハにAl配線を形成し加熱への影響を調べた。