[20a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:30 〜 11:45

[20a-A302-10] 膜厚 10 nm 以下でのガラス基板上 W 添加 In₂O₃ 導電性薄膜特性への大気圧熱アニール効果

〇(PC)Palani Rajasekaran¹、岡田 悠悟²、前原 誠²、北見 尚久²、小林 信太郎³、稲葉 克彦³、牧野 久雄¹、木下 公男²、山本 哲也¹ (1.高知工科大総研、2.住友重機械（株)、3.（株）リガク)

キーワード：

In2O3,薄膜

これまで無加熱ガラス基板上成膜による非晶質状態及び熱アニール後の多結晶状態酸化インジウム (In₂O₃) 系導電特性薄膜について導電性支配因子を明白にしてきた。本発表は極薄膜（膜厚: 3~7 nm）アモルファスW 添加 In₂O₃ (IWO) 導電性薄膜に焦点をあて大気圧条件下での熱アニール効果を議論する。薄膜表面上吸着酸素種の温度依存性と熱アニール効果の膜厚依存性との両面から導電性支配因子と課題とを明確化する。