セッション詳細
[20a-A302-1~10]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2023年9月20日(水) 9:00 〜 11:45
A302 (熊本城ホール)
廣瀬 靖(東京都立大)、 山本 哲也(高知工科大)
[20a-A302-1]MgとZnターゲットを使用した反応性同時スパッタリングによるMg0.57Zn0.43O薄膜の成膜と圧電素子の作製
〇遠藤 治之1、二瓶 貴之1、目黒 和幸1、柏葉 安兵衛2 (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)
[20a-A302-2]酸化亜鉛マイクロ粒子のランダムレーザー特性のサイズ依存性評価
〇(M1)吉野 颯汰1、山本 泰生2,3、中村 俊博1 (1.法政大院理工、2.大阪大産研、3.ハクスイテック)
[20a-A302-5]各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
〇山本 拓実1、田口 義士1、山田 梨詠1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
[20a-A302-6][講演奨励賞受賞記念講演] r-GexSn1–xO2の成長機構とコヒーレント薄膜の作製
〇高根 倫史1、大島 孝仁2、田中 勝久1、金子 健太郎3 (1.京大、2.物材機構、3.立命館大)
[20a-A302-7]r-GexSn1–xO2における低温キャリア輸送特性
〇(D)高根 倫史1、掛谷 一弘1、泉 宏和2、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎3、田中 勝久1 (1.京大院工、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大総研)
[20a-A302-8]III族不純物ドープMgO薄膜の正孔捕獲中心
〇(M1)三富 俊希1、高坂 亘1、松田 真樹1、小川 広太郎1、日下 皓也1、太田 優一2、金子 健太郎3、山口 智広1、本田 徹1、藤田 静雄4、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.都産技研、3.立命館大、4.京都大)
[20a-A302-9]アナターゼ型TiO2透明導電膜の局所構造解析
〇簾 智仁1、上田 礼一1、清水 亮太1,2、中山 亮1、山田 直臣3、一杉 太郎1,2 (1.東大院理、2.東工大物質理工、3.中部大)
[20a-A302-10]膜厚 10 nm 以下でのガラス基板上 W 添加 In2O3 導電性薄膜特性への大気圧熱アニール効果
〇(PC)Palani Rajasekaran1、岡田 悠悟2、前原 誠2、北見 尚久2、小林 信太郎3、稲葉 克彦3、牧野 久雄1、木下 公男2、山本 哲也1 (1.高知工科大総研、2.住友重機械(株)、3.(株)リガク)