[20a-A302-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[20a-A302-3] 静電スプレー法において溶媒がNiO薄膜に与える影響

〇大久保 慶人¹、友野 恵介¹、堀 孝太¹、杉山 睦^1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

キーワード：

酸化ニッケル,ウェットプロセス,正孔輸送層

ウェットプロセスの一種である静電スプレー法(ESD)は、ノズル-基板間に高電圧を印加することで溶液のスプレー化を行う。ESDにおけるNiO薄膜の結晶成長メカニズムは明らかになっておらず、表面粗さの抑制、結晶子サイズの増加、電気特性の制御などに関する手法は確立されていない。本研究ではスプレー状態に溶媒の物性が大きく影響することに着目し、ESDにおいて溶媒がNiO薄膜の諸特性に与える影響について検討した。