講演情報
[20a-A302-6][講演奨励賞受賞記念講演] r-GexSn1–xO2の成長機構とコヒーレント薄膜の作製
〇高根 倫史1、大島 孝仁2、田中 勝久1、金子 健太郎3 (1.京大、2.物材機構、3.立命館大)
キーワード：
ルチル型酸化物,成長機構,コヒーレント成長
次世代パワーエレクトロニクスならびに深紫外光デバイス用の材料の候補として，ルチル型（r-）酸化物ワイドバンドギャップ半導体の研究が盛んである．今回，これまで明らかにしたr-TiO2基板上におけるr-SnO2の成長機構と転位の挙動に加え，r-GeO2との混晶化が成長機構に及ぼす影響およびコヒーレントr-GexSn1-xO2薄膜の作製について報告する．