講演情報
[20a-A302-7]r-GexSn1–xO2における低温キャリア輸送特性
〇(D)高根 倫史1、掛谷 一弘1、泉 宏和2、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎3、田中 勝久1 (1.京大院工、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大総研)
キーワード：
キャリア輸送,ルチル型酸化物,ホッピング伝導
本研究では，低温におけるr-GexSn1–xO2のキャリア輸送特性について調査した．比抵抗測定と磁気抵抗測定から，15K以下でES VRHが支配的となることが明らかになった．磁気抵抗の起源は量子干渉，スピン整列であると考えられる．一方，30K以上における磁気抵抗測定から，温度上昇にともなうMott VRHへの移行とバンド伝導による寄与の増加，さらに完全なバンド伝導への移行が示唆された．