2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[20a-A304-1~11]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2023年9月20日(水) 9:00 〜 12:00
A304 (熊本城ホール)
張 文馨(産総研)
9:00 〜 9:15

[20a-A304-1]追加高圧水素アニールによる(110)面Si n-MOSFETの極低温特性改善

〇(D)下方 駿佑1,2、岡 博史1、稲葉 工1、飯塚 将太1、加藤 公彦1、森 貴洋1 (1.産総研、2.慶大物情)
9:15 〜 9:30

[20a-A304-2]MOSFET の極低温動作における DIBL パラメータ過剰見積の発生条件

〇(M1)小林 唯華1,2、浅井 栄大2、飯塚 将太2、服部 淳一2、池上 努2、福田 浩一2、二国 徹郎1、森 貴洋2 (1.東京理科大、2.産総研)
9:30 〜 9:45

[20a-A304-3]電荷密度に基づく新しきい値定義の妥当性検証

〇竹内 潔1、小林 正治2,1、平本 俊郎1 (1.東大生研、2.東大d.lab)
9:45 〜 10:00

[20a-A304-4]Siナノシート電界効果トランジスタにおける電子速度オーバーシュートに与える量子閉じ込めの影響

〇服部 淳一1、福田 浩一1、池上 努1、林 喜宏1 (1.産総研)
10:00 〜 10:15

[20a-A304-5]“Dual-Gate PN-Body Tied SOI-FET”を利用したIntegrate-and-Fire動作の実証

〇(M2)米崎 晴貴1、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大)
10:30 〜 10:45

[20a-A304-6]Al拡散によるメタルゲートスタック構造のしきい値電圧最適化

〇大村 祐弥1、青田 正司1、和田 智也1、船迫 友之1、安田 かすみ1、渡邉 大輔1、岡本 浩樹1、伊藤 勇1、小山 正人1 (1.キオクシア)
10:45 〜 11:00

[20a-A304-7]ﾘｾｽﾁｬﾈﾙ化によるメタルS/D 型Ge n-MOSFET の電流駆動力向上(III)

〇鍬釣 一1、王 冬2、山本 圭介2 (1.九大総理工学府、2.九大総理工研究院)
11:00 〜 11:15英語発表

[20a-A304-8]Performance Enhancement of Extremely-thin Body (111) Ge-on-Insulator nMOSFETs by Using Flipped Substrate Process

〇Xueyang Han1, Chia-Tsong Chen1, Kei Sumita1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.Univ. Tokyo)
11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[20a-A304-9]3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ

〇日掛 凱斗1、李 卓1、郝 俊翔1、パンディ チトラ1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、髙橋 崇典2、上沼 睦典2、浦岡 行治2、小林 正治1,3 (1.東大生研、2.奈良先端大、3.東大d.lab)
11:30 〜 11:45

[20a-A304-10]新型超低電圧リテンションSRAM (ULVR-SRAM)マクロの設計と性能解析

〇伊藤 克俊1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
11:45 〜 12:00

[20a-A304-11]並列化MACユニットを有するULVR-SRAMを用いたBNNアクセラレータマクロ

〇塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東工大・未来研)
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