[20a-A304-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

9:30 〜 9:45

[20a-A304-3] 電荷密度に基づく新しきい値定義の妥当性検証

〇竹内 潔¹、小林 正治^2,1、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.東大d.lab)

キーワード：

しきい値,モデリング,MOSダイオード

FinFETなど薄膜デバイスにも適用可能な反転電荷密度に基づく新しいMOSダイオードのしきい値定義に関し、反転層量子化を考慮しつつ妥当性の検討を行った。本定義によればしきい値がゲート絶縁膜厚に依存するが、一定の反転層膜厚補正を加えることで、電荷量対ゲート電圧特性の形状と対応した妥当なしきい値が定義できることを確認した。