講演情報

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[20a-A304-9]3次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ

〇日掛凱斗¹、李卓¹、郝俊翔¹、パンディチトラ¹、更屋拓哉¹、平本俊郎¹、髙橋崇典²、上沼睦典²、浦岡行治²、小林正治^1,3 (1.東大生研、2.奈良先端大、3.東大d.lab)

酸化物半導体,原子層堆積法,InGaOx

ALD法で成膜したInGaOx (IGO)をチャネルに用いたFETの特性を系統的に調査し、移動度、電気特性、信頼性の間のトレードオフ関係を明らかにした。また、ダブルゲートナノシート IGO FETを作製することにより、ノーマリオフ、高移動度、高信頼性を両立するデバイス動作を初めて実証した。