セッション詳細

[20a-A309-1~9]6.1 強誘電体薄膜

2023年9月20日(水) 9:00 〜 11:30
A309 (熊本城ホール)
神野 伊策(神戸大)、 山田 智明(名大)

[20a-A309-1]種々の組成の(Al, Sc)N多層膜のスイッチング特性評価

〇(D)安岡 慎之介1、岡本 一輝1、清水 荘雄2,3、松井 尚子4、入澤 寿和4、恒川 孝二4、舟窪 浩1 (1.東工大、2.物材研、3.JST さきがけ、4.キヤノンアネルバ)

[20a-A309-2]強誘電体Al0.7Sc0.3Nのラマン分光測定と膜厚依存性

〇時田 幸村1、角嶋 邦之1、星井 拓也1、若林 整1、筒井 一生 (1.東工大)

[20a-A309-3]AlN薄膜における低電界での分極反転過程の観測

〇長谷川 浩太1,2、清水 荘雄2、大澤 健男2、坂口 勲1,2、大橋 直樹1,2,3 (1.九大院総理工、2.物材機構、3.東工大)

[20a-A309-4]HAXPESによる金属/AlScN界面のバンドアライメント評価

〇(M2)中田 弦1、桐原 芳治1、保井 晃3、角嶋 邦之2、野平 博司1 (1.東京都市大学、2.東京工業大学、3.高輝度光化学研究センター)

[20a-A309-5]強誘電体キャパシタの酸化アルミニウム積層保護膜によるFeRAMの高信頼化

〇及川 光彬1、王 文生1、恵下 隆1、佐藤 のぞみ1、高井 一章1、中村 亘1、中林 正明1、小澤 聡一郎1、永井 孝一1、三原 智1、彦坂 幸信1、齋藤 仁1 (1.富士通セミコンダクターメモリソリューション)

[20a-A309-6]KrFエキシマレーザー照射によるSBT前駆体薄膜の強誘電結晶化

〇高橋 光恵1、酒井 滋樹1、本坊 尚也2、相場 健2、福岡 大2、川﨑 輝尚2 (1.産総研、2.住友重機械工業)

[20a-A309-7]チタン酸バリウム水熱微小粒子径の原料濃度依存性

〇山口 正樹1、満石 海1、齋藤 敦史1、山本 孝2 (1.芝浦工大、2.大阪公立大)

[20a-A309-8]水熱合成法で作製した (Bi, K)TiO3基薄膜の熱処理効果

〇村下 太一1、髙橋 雄真1、窪田 るりか1、伊東 良晴2、藤井 康裕3、是枝 聡肇3、岡本 一輝1、舟窪 浩1 (1.東京工業大学、2.日本大学、3.立命館大学)

[20a-A309-9][Young Scientist Presentation Award Speech] Flexible BaTiO3 Epitaxial Films with Bulk-like Ferroelectricity and Piezoelectricity

〇Lizhikun Gong1, Binjie Chen1, Rui Yu1, Hiromichi Ohta2, Katayama Tsukasa2,3 (1.IST, Hokkaido Univ., 2.RIES, Hokkaido Univ., 3.JST-PRESTO)