[20a-A309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[20a-A309-2] 強誘電体Al_0.7Sc_0.3Nのラマン分光測定と膜厚依存性

〇時田 幸村¹、角嶋 邦之¹、星井 拓也¹、若林 整¹、筒井 一生 (1.東工大)

キーワード：

強誘電体,AlScN,ラマンスペクトル

AlN結晶にScを導入したウルツ鉱Al_1-xSc_xN(0<x≤0.43)は強誘電性を示すことが報告されており、高い残留分極と薄膜でも強誘電性を示す一方で、薄膜化と共に抗電界が上昇することも報告されている。本発表では強誘電体Al_0.7Sc_0.3N膜のラマン分光測定により、結晶中の歪や原子の振動モードの薄膜化によるスペクトル変化を調べた。その結果薄膜化によるピークシフトが、抗電界の変化の傾向と一致することを確認した。