[20a-A309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

9:30 〜 9:45

[20a-A309-3] AlN薄膜における低電界での分極反転過程の観測

〇長谷川 浩太^1,2、清水 荘雄²、大澤 健男²、坂口 勲^1,2、大橋 直樹^1,2,3 (1.九大院総理工、2.物材機構、3.東工大)

キーワード：

強誘電体,窒化アルミニウム,スパッタリング

我々は前回の応用物理学会において、置換元素のない純粋なウルツ鉱型AlN薄膜においても分極反転すること、10 kHzで測定した分極-電界曲線から見積もった抗電界が8.3 MV/cmであることを報告した。本研究では、さらにこの10 kHzでの測定から得られた抗電界よりも低い電界を印加することで、比較的長い時間スケールにわたって分極反転が進行する過程を観測した。当日は、分極の見積もりや電界依存性の結果について報告する予定である。