[20a-A309-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

10:30 〜 10:45

[20a-A309-6] KrFエキシマレーザー照射によるSBT前駆体薄膜の強誘電結晶化

〇高橋 光恵¹、酒井 滋樹¹、本坊 尚也²、相場 健²、福岡 大²、川﨑 輝尚² (1.産総研、2.住友重機械工業)

キーワード：

強誘電体,不揮発メモリ

Si基板上のSr-Bi-Ta-O(SBT)の前駆体薄膜にKrFレーザーを照射し局所的にBi層状ペロブスカイト強誘電体SrBi₂Ta₂O₉を得る研究を行った。照射光のフルエンス, ショット数, 周波数と試料ステージ温度の多様な組み合わせを探査し照射後の膜を調べた。強い照射時は膜表面の荒れと溶解が見られた。弱い時は常誘電体フローライト相が占めた。ある範囲の照射条件で、600℃で強誘電体SBTを得た。