[20a-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:30 〜 9:45

[20a-A311-1] InAs/GaAs(111)A赤外線検出器の特性評価

〇間野 高明¹、大竹 晃浩¹、川津 琢也¹、宮崎 英樹¹、佐久間 芳樹¹ (1.NIMS)

キーワード：

インジウム砒素,分子線エピタキシー,赤外線検出器

n-GaAs(111)A基板上に成長した格子緩和n-InAsを用いた赤外線検出器の特性評価を行った。InAs/GaAs界面の転位に起因するフェルミレベルのピン止め効果により、高い順方向電圧下でも低い暗電流特性が保たれることが分かった。このデバイスに赤外線を照射した際の分光感度特性は、1～2.5ミクロンの比較的広い波長域でフラットな感度特性を示すことが分かった。