[20a-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

9:45 〜 10:00

[20a-A311-2] 3.3ミクロン帯共振型LED構造のMOVPE成長と光学特性評価

〇荒井 昌和¹、本部 好記¹、前田 幸治¹ (1.宮崎大工)

キーワード：

有機金属気相成長法,共振型LED,中赤外

GaAs基板上のGaAs/AlGaAs半導体多層膜反射鏡とメタモフルフィックInAs層を組み合わせた3ミクロン帯RC-LEDを成長し、光学特性評価を行ったので、報告する。