講演情報
[20a-A311-4]MOVPE法で作製したInAs基板上の歪補償InAsSb/InAsP超格子の中赤外発光
〇疋田 賢史郎1、本部 好記1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工)
キーワード：
歪補償量子井戸構造,フォトルミネッセンス,中赤外発光
中赤外線ガスセンシングには高効率な中赤外線レーザと受光素子が必要である。そこでInAsSb のような長波長域をカバーできる材料が考えられているが、GaSb から InSb の間に適当な基板がないことから格子定数による制限が課題である。その解決方法 として歪補償量子井戸構造がある。本研究では、MOVPE法で歪補償有りと無しの試料を作製し、低温(20 K)でのPL発光を比較した。歪補償有り試料は強い発光強度を示しました。