[20a-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:00 〜 11:15

[20a-A311-6] 微傾斜GaAs基板上にALE法を用いて成長方向と面内方向にN分布を制御したGaAsN薄膜の作製

〇平川 翔太¹、河野 将大¹、高木 俊作¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：

原子層エピタキシー,GaAsN,超構造