[20a-A311-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[20a-A311-7] III-V/Si 集積に向けたSOI (001)基板上InP横方向MOVPE選択成長

〇本間 寛弥¹、杉山 弘樹¹、開 達郎¹、瀬川 徹¹、松尾 慎治¹ (1.NTT)

キーワード：

Si上III-V族半導体成長,選択成長,MOVPE/MOCVD

III-V/Si集積に向けて、直接成長技術によるSi上III-V族半導体集積が期待されているが、それら界面で生じる結晶欠陥により、本手法を用いた高品質結晶集積は難しい。この問題を回避するために、SOI基板上にSi {111}面と選択成長マスクに囲まれた中空構造を形成し、Si表面からIII-V族半導体を横方向に選択成長することで、欠陥密度の低いInP薄膜の形成に成功した。一方、本成長方法特有の課題も明らかになった。