講演情報
[20a-B101-6]AlNのHVPEホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響
〇坂野 秀将1、後藤 健1、山本 玲緒2、永島 徹2、Boćkowski Michał3,4、山田 敦史5、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院工、2.（株）トクヤマ、3.東京農工大IGIR、4.ポーランド科学アカデミー、5.富士通（株）)
キーワード：
AlN,HVPE,V/III比
AlNはAlGaN系デバイスの基板材料として用いられている。低転位密度・高純度結晶を高速で成長できるハイドライド気相成長（HVPE）法によるホモエピタキシャル成長はAlN基板の作製法として有力である。しかし、AlNの高温HVPE成長ではNH3の分解が避けられず、実効V/III比が減少する。本研究ではNH3分解率の測定とそれに基づく熱力学解析、V/III比をパラメータとする成長実験を行い、AlNのHVPE成長における実効V/III比の算出とその影響を検討した。