セッション詳細

[20a-B201-1~6]15.6 IV族系化合物(SiC)

2023年9月20日(水) 10:30 〜 12:00
B201 (市民会館)
花房 宏明(広島大)

[20a-B201-1]SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション

〇鄭 朗程1、周 惠琴1、黨 一帆1、沓掛 健太朗2,3、原田 俊太1,3、田川 美穂1,3、宇治原 徹1,3 (1.名大院工、2.理研AIP、3.名大未来研)

[20a-B201-2]蛍光4H-SiCの結晶成長圧力制御による発光強度分布改善

〇(M1)秋吉 翔太1、水野 大誠1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、Ou Yiyu2、Ou Haiyan2 (1.名城大理、2.デンマーク工科大学)

[20a-B201-3]4H-SiC単結晶/SiC焼結体支持基板貼り合わせウェハ上エピタキシャル成長膜の不純物濃度

〇櫛部 光弘1、飯島 良介1 (1.東芝 研究開発センター)

[20a-B201-4]CVD 環境下におけるSiC表面ステップへの N原子取り込み機構の理論研究

〇山内 颯一郎1、水島 一郎2、依田 孝2,3、押山 淳4、白石 賢二4 (1.名大院工、2.ニューフレアテクノロジー、3.東工大未来研、4.名大未来研)

[20a-B201-5]4H-SiC m面の1次元周期構造

〇(D)今村 均1、ビシコフスキー アントン1、碇 智徳2、藤澤 唯太3、岡田 佳憲3、田中 悟1 (1.九大院工、2.宇部高専、3.沖縄科技大)

[20a-B201-6][講演奨励賞受賞記念講演] 両極性トランジスタを用いて導出した4H-SiCの真性キャリア密度

〇浅田 聡志1、村田 晃一1、田中 一2、土田 秀一1 (1.電中研、2.阪大院工)