[20a-B201-1~6] 15.6 IV族系化合物（SiC）

11:00 〜 11:15

[20a-B201-3] 4H-SiC単結晶/SiC焼結体支持基板貼り合わせウェハ上エピタキシャル成長膜の不純物濃度

〇櫛部 光弘¹、飯島 良介¹ (1.東芝　研究開発センター)

キーワード：

SiC,貼り合わせウェハ,不純物

４H- SiC単結晶とSiC焼結体支持基板の貼り合わせウェハを作製。貼り合わせウェハ上にエピタキシャル膜を成長。焼結体中の不純物濃度がエピタキシャル膜中の不純物濃度に与える影響を検討。焼結体に求められる純度を推定する。